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                          氮化镓的傑出體現推動主流射頻應用實現規模化、供給安全和快速應對能力

                          标签:氮化,傑出,體現,推動,主流,射頻,應用,實現,規模  2018-3-5 8:38:07  预览

                            數十年來,橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)技術在商業應用中的射頻半導體市場領域起主導作用。現在,這種平衡發生了變化,矽基氮化镓(GaN-on-Si)技術成爲接替傳統LDMOS技術的首選技術。

                          本文引用地址:http://www.esouou.com/eepw.com7843/article/201803/376364.htm

                            與LDMOS相比,矽基氮化镓的性能上風已牢固確立——它可提供超過70%的功率服從,將每單位面積的功率進步4到6倍,並且可擴展至高頻率。同時,綜合測試數據已證明成都人事考試中心,矽基氮化镓吻合嚴酷的可靠性要求,其射頻性能和可靠性可媲美甚至超越昂貴的碳化矽基氮化镓(GaN-on-SiC)替換技術。

                            矽基氮化镓成爲射頻半導體行業前沿技術之時正值商用無線基礎設施發展的關鍵時刻。矽基氮化镓相比于LDMOS技術的性能上風已經過驗證,這推動了其在最新一代4G LTE基站中廣泛應用,並使其定位爲最適合將來5G無線基礎設施的現實促技術,其轟動性市場影響可能會遠遠超出手機連接領域,而將涉足運輸、工業和娛樂應用等領域。

                            瞻望將來,基于矽基氮化镓的射頻技術有望庖代舊式磁控管和火花塞技術,充分發揮烹饪、照明和汽車點火等商用固態射頻能量應用的價值和潛力,我們信賴上述應用的能源/燃料服從以及加熱和照明精度將在不久的未來發生質的飛躍。

                            制造和成本效益的突破

                            鑒于5G基礎設施擴建將曩昔所未有的節奏和規模進行,人們越來越關注矽基氮化镓相對于LDMOS和碳化矽基氮化镓的成本結構、制造和快速應對能力以及供給鏈的天真性和固有可靠性。作爲新一代無線基礎設施獨一無二的出色半導體技術,矽基氮化镓有望以LDMOS成本結構實現優秀的氮化镓性能,並且具備支撐大規模需求的商業制造擴展能力。

                            MACOM和意法半導體今天聯合公布將矽基氮化镓技術引入主流射頻市場和應用領域的計劃,這標志著氮化镓供給鏈生態系統的緊張遷移轉變點,將來會將MACOM的射頻半導體技術實力與ST在矽晶圓制造方面的規模化和出色運營完善結合。我們預計這項協議在擴大MACOM供給來源的同時,還將促進擴大規模、進步産能和成本結構優化,從而加速矽基氮化镓技術在大衆市場的普及。

                            對于無線網絡基礎設施,這次合作有望使矽基氮化镓技術經濟高效地部署和擴展到4G LTE基站以及大規模MIMO 5G天線領域,其中天線配置的絕對密度對功率和熱性能具有極高的價值,分外是在較高頻率下。經過適當開發,矽基氮化镓的功率服從上風將對無線網絡運營商的基站運營費用産生深遠影響。MACOM估計,采用0.1美元/千瓦時的平均能量率模型時,僅將一年內部署的新大型基站轉換爲MACOM矽基氮化镓技術一項便可節省超過1億美元的費用。

                            新時代

                            矽基氮化镓從早期研發到商業規模應用的發展曆程無疑是一次最具推翻性的技術革新過程,爲射頻半導體行業開創了一個新時代。通過與ST達成的協議,MACOM矽基氮化镓技術將獲得獨特上風,能夠知足將來4G LTE和5G無線基站基礎設施對于性能、成本結構、制造能力和供給鏈天真性的要求,在固態射頻能量應用領域擁有無窮潛力。矽基氮化镓提供的射頻解決方案具有LDMOS和碳化矽基氮化镓競爭技術無法匹敵的價格/性能指標,而這僅僅是冰山一角。

                            有關MACOM矽基氮化镓技術領先地位的更多信息,請訪問www.macom.com/gan



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