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                          安森美半導體基于SiC的混合IGBT 和隔離型大電流IGBT门极驅動器将在欧洲PCIM 2019推出

                          标签:森美,半導體,導體,基于,混合,隔離,電流,驅動,驅動器  2019-5-5 8:50:42  预览

                          2019年4月30日 — 推动高能效创新的安森美半導體(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ON),将于5月7日开始的德国纽伦堡欧洲PCIM 2019展会推出新的基于碳化硅(SiC)的混合IGBT和相關的隔離型大電流IGBT門極驅動器。

                          本文引用地址:http://www.esouou.com/eepw.com7843/article/201904/400131.htm

                          AFGHL50T65SQDC采用最新的場截止IGBTSiC肖特基二極管技術,提供低導通損耗和開關損耗,用于多方面的電源應用,包括那些將得益于更低反向恢複損耗的應用,如基于圖騰柱的無橋功率因數校正(PFC)和逆變器。

                          该器件将硅基IGBT与SiC肖特基势垒二极管共同封装,从而在硅基方案的较低性能和完全基于SiC方案的较高成本之间提供出色的权衡。该高性能器件额定工作电压650 V,能够处理高达100 A@25 °C (50 A@100 °C)的延续電流,以及高达200 A的脉冲電流。对于必要更大電流能力的系统,正温度系数令并行工作更简便。

                          當代電動汽車的應用不僅行使能源行駛,在某些情況下還儲存能量seo關鍵詞優化,以便在岑嶺時期爲家庭供電。這必要一個雙向充電器,必須有高的開關服從,以確保轉換時不虛耗能量。在這種情況下,集成外部SiC二極管的IGBT比MOSFET方案提供更高能效,由于沒有相關的正向或反向恢複損耗。

                          AFGHL50T65SQDC可在高达175 °C的结温下工作,适用于包括汽车在内的最严苛的电源应用。它完全吻合AEC-Q 101认证河南人事考試,进一步证实其适用于电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV) 车载充电机。

                          除了新的混合IGBT,安森美半導體還將在PCIM推出並展示一系列新的隔離型大電流IGBT驅動器。NCD(V)57000系列針對多種電源應用,包括太陽能逆變器、電機驅動、不間斷電源系統(UPS)和汽車應用如動力總成和PTC加熱器。

                          NCD(V)57000系列是大電流單通道IGBT驅動器,內置伽伐尼安全隔離設計,以在要求高可靠性的電源應用中提供高能效工作。該器件具有輸入互補、漏極開路故障和輸出預備停當、有源米勒鉗位、正確欠壓鎖定(UVLO)、軟關斷去飽和(DESAT)保護、負門極電壓引腳和單獨的高、低驅動輸出等特點,爲系統設計提供天真性。

                          该器件的伽伐尼隔離额定值大于5 kVrms,知足UL 1577的要求,工作电压高于1200 V,保证8 mm爬电距离(输入>输出)以知足强化的安全隔離要求。NCD(V)57000器件可提供7.8 A驅動電流和7.1 A汲電流能力,是某些竞争器件的三倍多。更紧张的是,它们还具有在米勒平坦区工作时更大的電流能力,同时结合其先辈的保护特征,使它们成为同类最佳的IGBT驅動器。